КТ837 транзистор — характеристики, описание, технические параметры и применение

КТ837 — это трёхэлементный полевой транзистор типа n-p-n, выпускаемый нашей компанией. Этот уникальный прибор представляет собой электронный элемент, широко используемый в различных электронных схемах и устройствах. КТ837 обладает рядом особенностей и технических параметров, что делает его незаменимым для многих проектов.

Характеристики КТ837: этот транзистор отличается высокой надёжностью, стабильностью работы и длительным сроком службы. Он имеет низкую внутреннюю емкость, что способствует увеличению скорости переключения и сокращает потери мощности. Кроме того, КТ837 обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в различных усилительных схемах.

Технические параметры КТ837: максимальное рабочее напряжение составляет 45 Вольт, а максимальный рабочий ток — 200 мА. КТ837 можно использовать в широком диапазоне температур, от -55°C до +150°C, что позволяет применять его в различных климатических условиях.

Применение КТ837: благодаря своим уникальным характеристикам, этот транзистор широко используется в различных устройствах и схемах. Он может быть использован для усиления сигнала, изменения полярности сигнала, коммутации и многих других задач. КТ837 также идеально подходит для работы в системах автоматического управления, радиосвязи, радиоэлектронике и других сферах применения.

КТ837 транзистор характеристики

Сначала рассмотрим основные технические параметры транзистора КТ837:

• Тип транзистора: биполярный;
• Максимальное значение коллекторного тока: 0.2 А;
• Номинальное значение коллектор-эмиттерного напряжения: 60 В;
• Номинальное значение коллектор-базового напряжения: 60 В;
• Мощность тепловыделения: 0.5 Вт;
• Максимальная рабочая частота: 300 МГц;
• Коэффициент усиления по току: 80-400.

Транзистор КТ837 может использоваться как усилительный элемент в различных электронных устройствах, включая радио- и телевизионные приемники, сигнальные усилители, цифровые схемы и другие. Благодаря своей высокой рабочей частоте, он особенно эффективен в приемных устройствах, где требуется усиление высокочастотных сигналов.

Важно отметить, что реальные характеристики транзистора КТ837 могут незначительно отличаться от указанных значений, поэтому перед использованием необходимо обратиться к документации производителя и учесть особенности конкретного прибора.

КТ837 транзистор характеристики

• Максимальная частота переключения: до 200 МГц;
• Максимальная коллектор-эмиттерная напряжение: 40 В;
• Максимальный коллекторный ток: 200 мА;
• Минимальный коэффициент усиления тока: 40;
• Максимальная мощность потери на тепло: 300 мВт.

КТ837 часто используется в радиоэлектронике для усиления аудио- и видеосигналов, а также в цифровых устройствах для коммутации маломощных сигналов. Благодаря своим небольшим размерам и низким энергопотреблением, КТ837 широко используется в мобильной электронике, такой как смартфоны и планшеты.

Описание КТ837 транзистора

Технические параметры КТ837:

• Тип корпуса: TO-92
• Максимальное значение коллекторного тока: 1 А
• Максимальное значение обратного напряжения коллектор-эмиттер: 40 В
• Максимальная мощность потерь: 400 мВт
• Коэффициент усиления тока: не менее 100
• Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C

Применение КТ837:

1. Используется в усилителях высокой частоты.
2. Применяется в радиоприемниках, радиоаппаратуре.
3. Интегрируется в телевизионной и коммуникационной технике.

Транзистор КТ837 позволяет создать эффективные усилительные схемы с минимальным шумом и помехами. Его широкий диапазон рабочих температур и высокие технические характеристики делают его незаменимым компонентом во многих электронных устройствах.

КТ837 транзистор: основные характеристики

Основные характеристики транзистора КТ837 включают:

КТ837 обладает хорошими выходными и входными характеристиками, что позволяет его использование в различных схемах усилений и коммутации сигналов. Также транзистор обеспечивает низкий уровень шума и имеет хорошую линейность передачи сигнала.

КТ837 применяется во многих электронных устройствах, включая аудиоусилители, радиоприемники, источники питания, телевизоры и другие устройства, где требуется усиление и коммутация сигналов.

КТ837 транзистор: физическое изготовление

После выбора основы изготовители приступают к процессу нанесения тонкого слоя чистого кремния на выбранную пластину. Это делается с помощью специальной аппаратуры, которая позволяет наносить материал равномерно и контролируемым образом. Нанесение кремния происходит при высокой температуре и в определенной среде, чтобы создать идеальные условия для формирования структуры.

После нанесения кремния происходит процесс литографии, в ходе которого на поверхность созданного слоя наносятся различные маски и тонкая линейка, позволяющие разделить поверхность на отдельные элементы. Затем происходит процесс диффузии, во время которого в определенные зоны нагревают с полупроводниковом материалом и интегрируют дополнительные примеси для создания п- и n-областей.

После процесса диффузии на поверхности транзистора образуется слой оксида, который защищает созданные структуры от воздействия внешних факторов. После этого наносится металлический слой, предназначенный для создания контактов с созданными p- и n-областями.

После завершения процесса физического изготовления транзистора КТ837 происходит его проверка на качество и функциональность. Данный процесс включает в себя тщательное тестирование каждого из получившихся элементов, а также проверку электрических параметров. После успешной проверки транзисторы готовы к использованию в изготовлении электронных устройств различного назначения.

Технические параметры КТ837 транзистора:

• Максимальное значение коллекторного тока (I_{C max}): 500 мА;
• Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (V_CEO max): 50 В;
• Максимальное значение коллекторно-базового напряжения (V_CBO max): 60 В;
• Максимальное значение эмиттерно-базового напряжения (V_EBO max): 7 В;
• Максимальная мощность потерь (P_diss max): 600 мВт;
• Типичное значение коэффициента усиления по току транзистора (h_FE): 60-200;
• Межэлектродные ёмкости: С_CB — 3 пФ, С_BE — 10 пФ, С_BC — 5 пФ;
• Температурный коэффициент передачи тока (h_FE temp): -0.05 %/°C;
• Максимальная рабочая температура: +150 °C.

КТ837 транзистор широко используется в электронных устройствах, включая усилители низкой и средней мощности, переключатели и стабилизаторы напряжения. Благодаря своим характеристикам, он представляет надежную и эффективную компоненту для множества приложений.

КТ837 транзистор: электрические характеристики

Транзистор КТ837 имеет следующие электрические характеристики:

Транзистор КТ837 является надежным и стабильным устройством, которое обеспечивает высокую эффективность и производительность. Он широко применяется в различных радиоэлектронных системах, включая радиостанции, телевизоры, усилители звука и т.д.

КТ837 транзистор: механические характеристики

В таблице приведены основные механические характеристики КТ837 транзистора:

КТ837 транзистор изготавливается в корпусе типа ТО-5, который обеспечивает удобство монтажа и защиту от нежелательных воздействий. Его компактные размеры (12 мм x 10 мм x 5 мм) позволяют использовать транзистор в узких пространствах. Масса транзистора составляет всего 1 грамм, что делает его легким и удобным для использования.

Крепление КТ837 транзистора осуществляется с помощью метода пайки на плату. Данное крепление обеспечивает надежное и прочное соединение транзистора с печатной платой.

Механические характеристики КТ837 транзистора делают его идеальным выбором для использования в различных электронных устройствах, где требуется надежность и компактность.